FDC658P
Active - MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
FDC658P Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SuperSOT?-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC658P Inventario: 10160
5.0 / 5.0
2022-09-22 23:59
Sono molto soddisfatto
2022-10-21 07:37
Grazie perfetto molto ben accolto e rapidamente
2022-09-01 01:06
Funziona bene. Chip come nuovo
2023-01-16 02:41
Tempo di elaborazione e consegna in Francia: 17 giorni di calendario (spedizione combinata). Prodotto come mostrato
2023-02-06 12:38
Consegna veloce, tutte le funzioni
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