FDC658P
Active - MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
FDC658P Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SuperSOT?-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC658P Inventario: 10160
5.0 / 5.0
2023-02-14 10:38
Buon prodotto che si adatta alla descrizione e venditore affidabile.%26lt;br%26gt;I tempi di spedizione e consegna degli ordini nei Paesi Bassi sono stati dal 26 gennaio fino ad oggi 14 febbraio.%26lt;br%26gt;Grazie venditore per questa transazione fluida e molto veloce :)
2022-11-06 12:52
Va bene, nessun problema.
2023-02-14 03:12
Molto bene grazie.
2023-02-14 12:37
Caro ma cosa fare
2023-02-11 06:08
Parte delle fiches è arrivata 3843 an = pagata per 3843 miliardi
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