FDC655BN
Active - MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDC655BN Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
6.3A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
570 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SuperSOT?-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC655BN Inventario: 13440
5.0 / 5.0
2023-04-18 09:24
Ottimo articolo, ottimo venditore, A
2023-04-12 05:54
Sono molto soddisfatto dei tempi di consegna considerando che il materiale è stato spedito dalla Cina.%26lt;br%26gt;Inoltre i prodotti sono stati confezionati in modo eccellente
2022-11-14 05:09
Testato, perfettamente funzionante
2023-04-14 23:38
Colis re
2023-04-13 06:43
I controlli sono stati ben accolti. Anche uno in più del previsto. Volentieri di nuovo.
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