FDC638P
Active - MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
FDC638P Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.5A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2.5V, 4.5V
RDSon (max) a Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) max a Id
1.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1160 pF @ 10 V
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SuperSOT?-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC638P Inventario: 40720
5.0 / 5.0
2023-03-30 12:32
Il venditore e la merce acquistata è OkGoods sono quelli descritti. Raccomando
2023-04-06 02:54
Ok senza problemi
2023-03-30 12:05
Ben accolto molto rapidamente
2023-03-31 23:25
consegna perfetta in Italia
2023-04-05 09:43
Articoli e quantità come descritto, buona qualità.
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