BS170
Active - MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS170 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
40 pF @ 10 V
Dissipazione di potenza (max)
830mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-92-3
Contenitore/involucro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS170 Inventario: 15560
5.0 / 5.0
2023-02-10 00:45
Non riesco ancora a testarli
2023-02-10 06:39
Super bien merci
2023-02-09 12:01
Grazie, oggetto conforme, follow-up della consegna veloce ok, ci vediamo al prossimo ordine!!
2023-02-10 11:00
Ciao, tutto va bene secondo la descrizione di consiglio la consegna super veloce per quello che grazie riguarda%26lt;br%26gt;B
2022-08-19 13:29
I transistor IGBT controllati su testerach e tescie si aprono e si chiudono, tutti e 5 i pezzi lisci.%26lt;br%26gt;Per quanto riguarda ora da questo venditore przychodza tutto liscio ciò che è rzadkoscia U altro sprzedawcow tranzystorow IGBT, consigliare, buona comunicazione con il venditore.
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Netherlands
