2N7000BU
Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000BU Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
200mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
50 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-92-3
Contenitore/involucro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
,TO-226_straightlead.jpg)
France
