Categorie
Nuovi Arrivi
Controllo di qualità
Recensioni
Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Diodi - Raddrizzatori - Diodi singoli  /  onsemi 1N4448TR

1N4448TR

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448TR
1N4448TR
onsemi
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
 
3D Model Icon

1N4448TR Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
200mA
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1 V @ 100 mA
Velocità
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (Trr)
4 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
5 μA @ 75 V
Capacità a Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
DO-204AH, DO-35, Axial
Contenitore del fornitore
DO-35
Temp. di funzionamento - Giunzione
175 ℃ (Max)

1N4448TR Inventario: 30480

Storia Prezzo
$0.11000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Margot Leroy
Location Icon France
5 stars
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
Author Icon
Emily Becker
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
Author Icon
Ivy Robinson
Location Icon United States
5 stars
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
Author Icon
Léon Gaillard
Location Icon France
5 stars
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
Author Icon
Jasper Lee
Location Icon United States
5 stars
2023-04-06 14:42
Non ancora provato

1N4448TR Parti correlate

1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
1N4937-E3/54
1N4004
Richiesta di offerta
Numero di parte *
Fabbricante
Persona di Contatto *
Indirizzo Email *
Richiesta Quantità *
Paese di Consegna *