Nuovi Arrivi

Controllo di qualità

Recensioni

BLF10M6LS200U112

Active - POWER LDMOS TRANSISTOR

Fabbricante:

NXP Semiconductors

Parte Mfr #

BLF10M6LS200U112

Categoria:

Transistor - Bipolare (BJT) - singoli

Scheda tecnica:

BLF10M6LS200U112

Descrizione:

POWER LDMOS TRANSISTOR

BLF10M6LS200U112 Specificazione

Attributo del Prodotto

Valore Attributo

Categoria

Transistor - Bipolare (BJT) - singoli

Fabbricante

NXP Semiconductors

Serie

-

Imballaggio

Bulk

Stato del prodotto

Active

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) max

-

Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)

-

Saturazione Vce (max) a Ib, Ic

-

Corrente - Interruzione collettore (max)

-

Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di funzionamento

-

Tipo di montaggio

-

Contenitore/involucro

-

Contenitore del fornitore

-

BLF10M6LS200U112 Inventario: 29280

Storia Prezzo

$88.00000

5.0 / 5.0

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Ricevuto perfettamente. Saldato un%27%27unità sul circuito stampato corrispondente che funziona perfettamente per sostituire un%27%27unità difettosa su una piastra Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 settimane per la consegna. I chip funzionano bene

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Corrisponde al mio uso

Laura Cristina

Spain

2021-07-11 09:01

Testato, funziona come previsto.

Halina Jankowska

Poland

2021-12-09 23:36

Spedizione veloce, OK

BLF10M6LS200U112

BLF10M6LS200U112 Specificazione

BLF10M6LS200U112 Inventario: 29280

BLF10M6LS200U112 Parti correlate