NTE2946
Active - MOSFET-PWR N-CHAN ENHAN
Descrizione:
MOSFET-PWR N-CHAN ENHAN
NTE2946 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.6A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
74 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1510 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220 Full Pack
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
NTE2946 Inventario: 1720
5.0 / 5.0
2023-02-03 22:43
Un tester dei componenti ha verificato che tutti e 10 i transistor BD911 erano OK con un hFE compreso tra 44 e 47. La spedizione negli Stati Uniti è stata molto veloce.
2023-02-02 07:18
Buon venditore. Grazie.
2023-02-01 08:44
Va tutto bene.
2023-02-03 02:17
Eccellente, di buona qualità, si consiglia una ricevuta veloce.
2023-02-01 12:02
Perfetto, va bene così. Grazie
United States
