1N4006
Active - DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Descrizione:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
1N4006 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
800 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.1 V @ 1 A
Velocità
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
2 μs
Corrente - Dispersione inversa a Vr
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
DO-204AL, DO-41, Axial
Contenitore del fornitore
DO-41
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55 ℃ ~ 150 ℃
1N4006 Inventario: 28080
5.0 / 5.0
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
2023-04-06 14:42
Non ancora provato
France
