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MQ2N2609

Active - JFET

Fabbricante:

Parte Mfr #

Categoria:

Scheda tecnica:

Descrizione:

JFET

MQ2N2609 Specificazione

Attributo del Prodotto

Valore Attributo

Categoria

Transistor - JFET

Fabbricante

Microchip Technology

Serie

-

Imballaggio

Bulk

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Rottura (V(BR)GSS)

30 V

Tensione drain/source (Vdss)

30 V

Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)

2 mA @ 5 V

Drain di corrente (Id) - Max

-

Tensione - Soglia (VGS off) a Id

750 mV @ 1 μA

Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDSon

-

Potenza - Max

300 mW

Temperatura di funzionamento

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Contenitore/involucro

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Contenitore del fornitore

TO-18 (TO-206AA)

MQ2N2609 Inventario: 24180

Storia Prezzo

$73.15000

5.0 / 5.0

Amelie Schwarz

Germany

2023-03-17 08:43

tutto ottimo, spedizione velocissima

Francesco De Luca

Italy

2023-03-18 12:46

Tutto ok come descritto

Johann Müller

Germany

2023-03-17 08:54

tutto ottimo, spedizione velocissima, grazie

Eleonora Greco

Italy

2023-03-17 00:55

Componenti elettronici di valida resistenza strutturale. Non ho testato la precisione della tensione ma penso che tutto sia regolare. Il venditore ha spedito subito.

Juan Manuel

Spain

2023-03-18 16:42

Tutto bene e sono arrivati molto velocemente

MQ2N2609

MQ2N2609 Specificazione

MQ2N2609 Inventario: 24180

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