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Diodi - RF Diodi
/ Microchip Technology MG1006-83B
MG1006-83B
Active - GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
Fabbricante:
Microchip Technology
Parte Mfr #
MG1006-83B
Categoria:
Diodi - RF Diodi
Scheda tecnica:
MG1006-83B
Descrizione:
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
MG1006-83B Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Categoria
Diodi - RF Diodi
Fabbricante
Microchip Technology
Serie
-
Imballaggio
Bag
Stato del prodotto
Active
Tipo di diodo
PIN - Single
Tensione - Inversa di picco max
10V
Corrente - Max
700 mA
Capacità a Vr, F
-
Resistenza a If, F
-
Dissipazione di potenza (max)
100 mW
Temperatura di funzionamento
-
Contenitore/involucro
-
Contenitore del fornitore
-
MG1006-83B Inventario: 35240
Storia Prezzo
Active
5.0 / 5.0
Arminas Stankevičius
Lithuania
2023-03-18 06:50
Funziona tutto bene. Non ho testato l%27%27amperaggio massimo, ma tiene molto bene 2 ampere.
Gaston Guichard
France
2023-03-18 02:42
Secondo la descrizione non ho ancora saldato
Wioletta Kowalska
Poland
2023-03-17 23:22
Merce OK, spedizione molto veloce.
George Mitchell
United States
2023-03-17 13:18
Tutto molto eccellente funziona bene
Nienke de Haan
Netherlands
2023-03-17 03:02
Consegnato in Olanda in 9 giorni!! Ottimo servizio
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