APTM20UM03FAG
Active - MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 580A SP6
APTM20UM03FAG Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
580A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.6mOhm @ 290A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 15mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
840 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
43300 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
2270W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Contenitore del fornitore
SP6
Contenitore/involucro
SP6
Germany
