APT14F100B
Active - MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
APT14F100B Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
14A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
980mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3965 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
500W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-247 [B]
Contenitore/involucro
TO-247-3
Spain
