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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N7143

2N7143

Active Icon Active - POWER BJT
2N7143
2N7143
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N7143 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
12 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
-
Corrente - Interruzione collettore (max)
-
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
-
Potenza - Max
87 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
Contenitore del fornitore
TO-204AD (TO-3)

2N7143 Inventario: 17760

Storia Prezzo
$228.69000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Giulio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-02-02 02:37
Va bene. Spero che siano davvero 25A come dichiarato.
Author Icon
Gabriel Nelson
Location Icon United States
5 stars
2023-02-01 06:07
non l%27%27ho ancora provato ma una volta che lo farò aggiornerò la recensione Grazie
Author Icon
Camille Simon
Location Icon France
5 stars
2023-02-03 07:29
Spedito in 1 giorno
Author Icon
Lily Ramirez
Location Icon United States
5 stars
2023-02-03 06:07
sembra ok , non ancora usato
Author Icon
Nathaniel Parker
Location Icon United States
5 stars
2023-02-03 22:43
Un tester dei componenti ha verificato che tutti e 10 i transistor BD912 erano OK con un hFE compreso tra 141 e 157. La spedizione negli Stati Uniti è stata molto veloce.

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