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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N657S

2N657S

Active Icon Active - POWER BJT
2N657S
2N657S
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N657S Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) max
-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
40 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
10μA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Potenza - Max
600 mW
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Contenitore del fornitore
TO-5AA

2N657S Inventario: 40080

Storia Prezzo
$38.83500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
Author Icon
Raffaella Esposito
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-21 12:55
Bloccato in dogana
Author Icon
Pietro Moretti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 14:42
Merce corrispondente alla descrizione e spedizione veloce. Venditore serio, consigliato.

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