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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N656S

2N656S

Active Icon Active - POWER BJT
2N656S
2N656S
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N656S Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) max
12 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
60 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
-
Corrente - Interruzione collettore (max)
-
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
-
Potenza - Max
-
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Contenitore del fornitore
TO-5AA

2N656S Inventario: 30240

Storia Prezzo
$38.83500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Teresa Alejandra Morales
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-08 22:33
Lavorando su un subwofer Sony ct-291.
Author Icon
Samuel Andrés
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-09 08:59
Beh, puoi comprare
Author Icon
Samuel Eduardo
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-10 01:45
Spedizione velocissima tutto come scritto!
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Léandre Guyot
Location Icon France
5 stars
2023-03-09 09:01
Ottima transazione. Grazie
Author Icon
Lucía Romero
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-10 11:05
Salve.%26lt;br%26gt;Descrizione corretta.%26lt;br%26gt;Deve essere dimostrato.

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