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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N5611

2N5611

Active Icon Active - POWER BJT
2N5611
2N5611
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5611 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
5 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
-
Corrente - Interruzione collettore (max)
-
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
-
Potenza - Max
25 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-213AA, TO-66-2
Contenitore del fornitore
TO-66 (TO-213AA)

2N5611 Inventario: 6000

Storia Prezzo
$41.38500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ugo Marino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-25 05:08
Tutto buono consigliato
Author Icon
Stanisław Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Merce di buona qualità in conformità con l%27%27ordine. Tempo di consegna 18 giorni.
Author Icon
John Jones
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-03-27 06:47
Ottimo articolo, ottimo venditore, A
Author Icon
Krystyna Zawadzka
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-27 01:57
Tutto secondo la descrizione. Russia morduje Ukraińc
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Spedizione veloce, tutto come descritto.

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