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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N5605

2N5605

Active Icon Active - POWER BJT
2N5605
2N5605
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5605 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
5 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
60 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
750mV @ 250μA, 2.5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
-
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
-
Potenza - Max
25 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-213AA, TO-66-2
Contenitore del fornitore
TO-66 (TO-213AA)

2N5605 Inventario: 33760

Storia Prezzo
$41.38500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sylvie Mallet
Location Icon France
5 stars
2023-03-31 15:09
Prodotto conforme, non ancora testato.
Author Icon
Zbigniew Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-31 03:04
Va tutto bene. Raccomando
Author Icon
Saulius Žukauskas
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-04-06 07:00
Molto soddisfatto del prodotto, grazie mille al venditore.
Author Icon
Cristian Díaz
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-02 21:32
È arrivato molto velocemente, ben imballato.
Author Icon
Alicja Kwiatkowska
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-30 12:32
Il venditore e la merce acquistata è OkGoods sono quelli descritti. Raccomando

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