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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N3879A

2N3879A

Active Icon Active - POWER BJT
2N3879A
2N3879A
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3879A Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) max
7 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
75 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
1.2V @ 400mA, 4A
Corrente - Interruzione collettore (max)
25mA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
20 @ 4A, 5V
Potenza - Max
35 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-213AA, TO-66-2
Contenitore del fornitore
TO-66 (TO-213AA)

2N3879A Inventario: 8760

Storia Prezzo
$23.43000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Natasza Baran
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-03 07:27
Ottima qualità
Author Icon
Raphaël Faure
Location Icon France
5 stars
2023-03-03 00:54
Coerente con quello che mi aspettavo..
Author Icon
Vanessa Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-03 06:27
perfetto come sempre
Author Icon
Alice Parker
Location Icon United States
5 stars
2023-03-03 17:39
Arrivato rapidamente, ben imballato, (con tessera del rappresentante
Author Icon
Arianna Leone
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-03 11:03
Utilizzato per riparare la scheda immagine in quanto non ha attivato il rel%26lt;br%26gt;È. Ora funziona perfettamente

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