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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N3867P

2N3867P

Active Icon Active - POWER BJT
2N3867P
2N3867P
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3867P Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
3 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
40 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Corrente - Interruzione collettore (max)
1μA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 200 ℃
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Contenitore del fornitore
TO-5AA

2N3867P Inventario: 4960

Storia Prezzo
$21.51000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Nicoletta Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-07 16:58
Mosfet funzionante ma ho dovuto cambiare la resistenza per la mia saldatrice a punti perché non funziona come grilletto
Author Icon
Laura Patricia
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-08 04:34
Secondo ciò che è stato offerto.
Author Icon
Krzysztof Włodarczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-04-07 06:19
Tutto secondo la descrizione. Buona qualità. MI RACCOMANDO!!
Author Icon
Poppy Martinez
Location Icon United States
5 stars
2023-04-07 10:14
Non li ho ancora provati, ma sembrano esattamente come mostrato. Circa 3 settimane per riceverli.
Author Icon
Augustin Leclercq
Location Icon France
5 stars
2022-10-15 05:25
Ordina rapidamente e ben arrivato!%26lt;br%26gt;Buoni prodotti!

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