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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  Microchip Technology 2N1131L

2N1131L

Active Icon Active - POWER BJT
2N1131L
2N1131L
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N1131L Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
600 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
40 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
1.3V @ 15mA, 150mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
10mA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
20 @ 150mA, 10V
Potenza - Max
600 mW
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Contenitore del fornitore
TO-5AA

2N1131L Inventario: 7680

Storia Prezzo
$25.57500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Beatrice Rinaldi
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-05 04:33
Ottimo prodotto consigliato
Author Icon
Zbigniew Nowicki
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-28 12:42
Funziona come dovrebbe. Il venditore lo ha imballato in modo molto resistente e antiurto. Molto buono: D
Author Icon
Alessio Greco
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-06 06:00
Tutto ok è arrivato rapidamente. Lo consiglio a tutti
Author Icon
Esteban León
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-05 20:24
In assenza di test
Author Icon
Zeno Ferraro
Location Icon Italy
5 stars
2022-12-17 03:56
Ottimo negozio, tutto OK. Grazie.

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