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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Diodi - Raddrizzatori - Diodi singoli  /  Microchip Technology 1N6666

1N6666

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 200V 10A TO257
1N6666
1N6666
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
DIODE GEN PURP 200V 10A TO257
 
3D Model Icon

1N6666 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
200 V
Corrente - Media rettificata (Io)
10A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1 V @ 30 A
Velocità
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
35 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
-
Capacità a Vr, F
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-257-3
Contenitore del fornitore
TO-257
Temp. di funzionamento - Giunzione
200 ℃

1N6666 Inventario: 36880

Storia Prezzo
$178.69500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Gemma Rivera
Location Icon United States
5 stars
2022-12-22 03:02
FUNZIONA BENE CONSIGLIATO
Author Icon
Léonie Giraud
Location Icon France
5 stars
2023-04-26 07:22
Si muove bene. Resta da installare e controllare le prestazioni)
Author Icon
Felix Parker
Location Icon United States
5 stars
2022-11-21 01:56
OK, l%27%27ho ricevuto in tempo!
Author Icon
Marek Szymanski
Location Icon Poland
5 stars
2023-04-19 08:28
Funzionando correttamente, programmando senza problemi, il dispositivo ha preso vita
Author Icon
Stephanie Turner
Location Icon United States
5 stars
2023-04-26 22:56
Funziona benissimo con il mio ESP8266 come sensore per porte, prezzo incredibile.

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