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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Diodi - Raddrizzatori - Diodi singoli  /  Microchip Technology 1N5822US

1N5822US

Active Icon Active - DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
1N5822US
1N5822US
Microchip Technology
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
 
3D Model Icon

1N5822US Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
40 V
Corrente - Media rettificata (Io)
3A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
500 mV @ 3 A
Velocità
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
-
Corrente - Dispersione inversa a Vr
100 μA @ 40 V
Capacità a Vr, F
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
SQ-MELF, B
Contenitore del fornitore
B, SQ-MELF
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65 ℃ ~ 125 ℃

1N5822US Inventario: 10480

Storia Prezzo
$77.86000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Jennifer Miller
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-04-18 09:24
Ottimo articolo, ottimo venditore, A
Author Icon
Daria Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-12 05:54
Sono molto soddisfatto dei tempi di consegna considerando che il materiale è stato spedito dalla Cina.%26lt;br%26gt;Inoltre i prodotti sono stati confezionati in modo eccellente
Author Icon
Bianca Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2022-11-14 05:09
Testato, perfettamente funzionante
Author Icon
Aurore Dumas
Location Icon France
5 stars
2023-04-14 23:38
Colis re
Author Icon
Stefan Alt
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-13 06:43
I controlli sono stati ben accolti. Anche uno in più del previsto. Volentieri di nuovo.

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