1N5809US
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
1N5809US Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
3A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
875 mV @ 4 A
Velocità
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
30 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
5 μA @ 100 V
Capacità a Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
SQ-MELF, B
Contenitore del fornitore
B, SQ-MELF
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5809US Inventario: 42640
5.0 / 5.0
2023-05-21 09:36
Ho ricevuto il pacco in base all%27%27ordine prima della scadenza
2023-05-21 09:34
Ho ricevuto la ciambella prima della scadenza secondo l%27%27ordine
2023-05-20 06:38
Non ancora testato, il chip sembra nuovo.
2023-05-23 23:56
In conformità con la descrizione. Consegnato rapidamente.
2023-03-08 02:12
Tutto bene ben descritto e funzionante
Poland
