MIC4123YML
Active - DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI
Descrizione:
DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI
MIC4123YML Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Configurazione comandata
Low-Side
Tipo di canale
Independent
Tipo di gate
N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
4.5V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
3A, 3A
Tipo di ingresso
Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
-
Tempo di salita/discesa (tip.)
11ns, 11ns
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-VQFN Exposed Pad
Contenitore del fornitore
8-QFN (4x4)
MIC4123YML Inventario: 25920
5.0 / 5.0
2023-04-02 21:32
È arrivato molto velocemente, ben imballato.
2023-03-30 12:32
Il venditore e la merce acquistata è OkGoods sono quelli descritti. Raccomando
2023-04-06 02:54
Ok senza problemi
2023-03-30 12:05
Ben accolto molto rapidamente
2023-03-31 23:25
consegna perfetta in Italia
Spain
