HIP6601BECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Descrizione:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP6601BECB Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Configurazione comandata
Half-Bridge
Tipo di canale
Synchronous
Tipo di gate
N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH
-
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
-
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
15 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
20ns, 20ns
Temperatura di funzionamento
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Contenitore del fornitore
8-SOIC-EP
HIP6601BECB Inventario: 3840
5.0 / 5.0
2023-04-27 22:45
veloce e perfetto
2023-05-08 06:25
Ottima transazione - Oggetti come descritto - Spedizione veloce - Tutto perfetto - Grazie mille
2023-04-27 08:34
Articolo consegnato rapidamente, già testato con tester per transistor, funzione 100 %, molto ben confezionato.
2023-04-23 01:09
Grazie venditore! Il 6 aprile, ordinato, ricevette il 22. Nuovo, non sperimentato.
2023-05-05 06:35
Cena ben confezionata e ben accolta grazie
Italy
