2N6763
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
2N6763 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
31A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
80mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3000 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
150W
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-3
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
2N6763 Inventario: 40160
5.0 / 5.0
2023-03-22 09:19
Benissimo! Tutto è arrivato in soli 10gg. Raccomandato
2023-03-25 02:54
Tutto migliora. Danke
2023-03-24 08:44
Come descritto di alta qualità
2022-09-30 14:32
30 giorni negli Stati Uniti, sembrano essere prodotti di qualità. non ho ancora testato
2023-03-23 11:46
18 giorni per la Sicilia, grazie alla spedizione combinata. Gli amplificatori operazionali sembrano andare bene, ma finora non ho avuto l%27%27opportunità di testarli. Grazie
Italy
