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IGN1011L70

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L70
IGN1011L70
Integra Technologies
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L70 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaN HEMT
Configurazione
1.03GHz ~ 1.09GHz
Frequenza
22dB
Guadagno
50 V
Tensione - Test
-
Corrente nominale (A)
-
Cifra di rumore
22 mA
Corrente - Test
80W
Potenza - Uscita
120 V
Tensione - Nominale
-
Tipo di montaggio
PL32A2
Contenitore/involucro
PL32A2
Contenitore del fornitore
-

IGN1011L70 Inventario: 49040

Storia Prezzo
$222.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Buon prodotto e funziona correttamente.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Ben accolto, non ancora testato
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 giorni, strip, per testare

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