EPC8002
Active - GANFET N-CH 65V 2A DIE
Descrizione:
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC8002 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
65 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
21 pF @ 32.5 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
Italy
