EPC2219
Active - TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Descrizione:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2219 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
65 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 100μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.064 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
10 pF @ 32.5 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
EPC2219 Inventario: 46400
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Finland
