EPC2215
Active - GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Descrizione:
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC2215 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
32A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17.7 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1790 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
EPC2215 Inventario: 33280
5.0 / 5.0
2023-04-05 09:43
Articoli e quantità come descritto, buona qualità.
2023-03-30 13:19
Tutto come descritto, ottimo venditore, consigliatissimo.
2023-04-05 07:40
Il dispositivo che è arrivato è MXL7704-R3 e ha riparato correttamente il mio Raspberry Pi 3 B.
2023-04-04 05:08
Consegna ordinata, buon servizio consigliato
2023-04-06 10:46
Ottimo venditore, prodotto molto veloce, ben confezionato, grazie anche a te
Italy
