EPC2204
Active - TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Descrizione:
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC2204 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
29A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.4 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
851 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
Italy
