EPC2065
Active - GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Descrizione:
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC2065 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
60A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.2 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1449 pF @ 40 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
EPC2065 Inventario: 34080
5.0 / 5.0
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
2023-04-06 14:42
Non ancora provato
France
