EPC2022
Active - GANFET N-CH 100V 90A DIE
Descrizione:
GANFET N-CH 100V 90A DIE
EPC2022 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
90A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
EPC2022 Inventario: 38960
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
2023-03-21 12:55
Bloccato in dogana
United States
