EPC2016C
Active - GANFET N-CH 100V 18A DIE
Descrizione:
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2016C Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
18A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4.5 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
420 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
Die
Contenitore/involucro
Die
EPC2016C Inventario: 19280
5.0 / 5.0
2023-03-24 06:22
Molto bene. Va bene. Saluti. Grazie...
2023-03-23 22:54
Tutto ok consigliato, ottimo prodotto
2023-03-25 04:23
Tutto come ordinato, non ho controllato la qualità, ma l%27%27aspetto e la quantità sono conformi alla descrizione. La consegna è veloce. Grazie! (PS Sì, sono una donna! Non lasciarti confondere!)
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
Spain
