EL7104CS
Active - BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Descrizione:
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
EL7104CS Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Configurazione comandata
Low-Side
Tipo di gate
N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
4.5V ~ 16V
Tensione logica - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
4A, 4A
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
-
Tempo di salita/discesa (tip.)
7.5ns, 10ns
Temperatura di funzionamento
125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Spain
